Наименование прибора: 2SK2025 Toshiba

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 85 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог IRFBC30, STP4NK60Z