Наименование прибора: 2SK2699 Toshiba

Маркировка: K2699

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 58 nC

Время нарастания (tr): 45 ns

Выходная емкость (Cd): 820 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.65 Ohm

Тип корпуса: SC65 TO3P

Аналоги STW10NK60Z, BUZ332, BUZ332A, IRFPC48, IRFPC50, SPP07N60C3, STH12N60, STW12N60, STW12NB60, STW13NK60Z